真空镀膜实现的形式主要就是PVD与CVD。在真空镀膜的具体方法介绍中，螺杆真空泵厂家简单罗列了主要的几种。这次我们回过头来进一步了解下其中的CVD。

CVD是chemical vapor deposition的缩写，也就是化学气相沉积。它是指在一定温度下，混合气体或混合气体与基材表面相互作用，在基材表面形成金属或化合物的薄膜镀层，以实现材料表面改性，满足耐磨、抗氧化腐蚀以及特定的光学、电学、摩擦学等性能要求的一种技术。

从它的名字就可以看出，CVD是建立在化学反应的基础上的。CVD涉及的化学反应有一个特点就是反应物是气态而生成物是固态（也可以理解为CVD反应除了所需的沉积物为固态，其他的均要为气态），而常涉及的反应类型包括：1、热分解反应；2、氢还原反应；3、置换或合成反应；4、化学输运反应；5、歧化反应；6、固相扩散反应。

其基本过程首先是反应气体向基片扩散，接着气体吸附于基片表面，随后反应气体在材料表面发生化学反应，反应后在材料上留下固相产物——薄膜，产生的副产物被系统抽走或向空间扩散。反应过程要在材料表面沉积形成致密的镀层，就需要将CVD反应控制在气-固交界面发生，如果在气相间反应，薄膜就以粉末形态出现。反应过程与反应产物形成同时进行，因此CVD的机理相当复杂。

化学气相沉积（CVD）的处理过程包括工件的预处理、抽真空加温活化、高温沉积反应以及后期的废气排放、冷却等，因此它的基本组成系统包括气源供给系统、沉积反应加热室、真空系统、废气排放系统、电源控制系统等等。具体的CVD装置根据反应室反应器的类型差异，可以归为基本的两类：流通式CVD与封闭式CVD。

化学气相沉积（CVD）在工业应用上极为广泛，不仅用于镀层也用于制备难熔材料的粉末与晶须，而且还可用于人工合成钻石。但一般的CVD工艺由于工艺温度过高（900～1200℃），会对一些工件造成影响，因此CVD工艺逐渐向低温、高真空方向发展，出现了等离子增强化学气相沉积（PECVD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、激光化学气相沉积（LCVD）、真空化学气相沉积（UHV/CVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）等等诸多新技术，使CVD工艺适宜的材料更为广泛。

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